SQD40081EL_GE3 دیتاشیت

SQD40081EL_GE3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SQD40081EL_GE3
حجم فایل 81.689 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

مشاهده دیتاشیت SQD40081EL_GE3

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SQD40081EL_GE3
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 71W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 210nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 40V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 9950pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 50A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.5V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 8.5mΩ@25A,10V
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: Vishay Intertech

محصولات مشابه